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HY18P10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P MOSFET(-20V~ -100V)	Huayi 华羿微电	Huayi
IXTA18P10T	文件：185.76 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs 文件：185.76 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP18P10T	文件：185.76 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs 文件：185.76 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTY18P10T	文件：185.76 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs 文件：185.76 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

ID@TC=25℃(A)：
-80
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
28
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
30
PD@TC=25℃ (W)：
214
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
-1~-3
Ciss Typ(pF)：
9800
Qg Typ(nC)：
205
Configuration：
Common-Drain Dual - P
Package：
TO-220FB-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市欧立现代科技有限公司	HY18T256169AF-28	INFIEON	24+	BGA	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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天津市博通航睿技术有限公司	HY18T256324F-20ES	INFINEON	23+	BGA	7000		询价
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更多HY18P10供应商更新时间2026-3-29 14:01:00

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