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HLDG110N06	文件：603.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IPB110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IXFK110N06	文件：156.88 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK110N06	文件：328.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TSM110N06	文件：107.28 Kbytes Page：6 Pages	55VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
HY110N06T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
55V/110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	HY1112H-TR	ST	21+	LED	23480		询价
深圳市佰诺德电子有限公司	HY1114	HAO YUEH			250		询价
深圳市瑞新盛科技有限公司	HY1115D	HUAYI/华羿微	24+	NA	20000	原装正品保障	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HY111B02AE1	NA	23+		27500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市华来深电子有限公司	HY112V	NAIS	23+	DIP	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	HY1-12V	松下	1736+	RELAY	8529	专营继电器只做原装正品假一赔十!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	HY1-12V	PANASONIC	25+23+	New	32053	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	HY1-12V	PANASONIC/松下	2018+	DIP	6200	假一罚十/本公司只做原装正品	询价
深圳兆威电子有限公司	HY1-12V	MATSUSHIT	22+	DIP6	34079	原装正品现货,可开13个点税	询价

更多HY110N06T供应商更新时间2025-5-22 10:34:00

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