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HY18N50W	文件：299.99 Kbytes Page：4 Pages	500V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
18N50	文件：163.78 Kbytes Page：6 Pages	18Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC18N50isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedplanarstripeandDMOStechnologytoprovideperfectperformance. Thistechnologycanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.Itcanprovideminimumon-stateresistancea	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N50	文件：209.52 Kbytes Page：6 Pages	18A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N50	文件：54.63 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •DESCRIPTION •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchregulators •Switchingconverters,motordrivers,relaydrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
18N50A	文件：817.72 Kbytes Page：6 Pages	18A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
18N50H	文件：167.03 Kbytes Page：5 Pages	18A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
AP18N50W	文件：99.68 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP18N50W-HF	文件：103.68 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
FDA18N50	文件：736.98 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA18N50	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDA18N50	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP18N50	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	PowerFactorCorrectionConverterDesign	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP18N50	文件：1.033079 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description UniFET™MOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP18N50	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWMCombinationController Introduction Thisapplicationnotedescribesstep-by-stepdesignconsiderationsforapowersupplyusingtheFAN480Xcontroller.TheFAN480XcombinesaPFCcontrollerandaPWMcontroller.ThePFCcontrolleremploysaveragecurrentmodecontrolforContinuousConductionMode(CCM)boostconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP18N50	文件：1.66296 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelUniFETTMMOSFET500V,18A,265mΩ Description UniFETTMMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology. ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalanche energystrength.Thisdevicefamilyissuitablefor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDP18N50	文件：332.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.265Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF18N50	文件：323.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.265Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF18N50	文件：1.66296 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelUniFETTMMOSFET500V,18A,265mΩ Description UniFETTMMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology. ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andto providebetterswitchingperformanceandhigheravalanche energystrength.Thisdevicefamilyissuitablefor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDPF18N50	文件：5.24448 Mbytes Page：30 Pages	DualBCMPFCController OverviewoftheEvaluationBoard TheFAN9611/12interleaveddualBoundary-Conduction-Mode(BCM)Power-FactorCorrection(PFC)controllersoperatetwoparallel-connectedboostpowertrains180ºoutofphase.Interleavingextendsthemaximumpracticalpowerlevelofthecontroltechniquefromabout	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF18N50	文件：448.96 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
HY18N50W
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
500V/18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	HY18-P	LEM	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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更多HY18N50W供应商更新时间2024-4-30 14:14:00

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