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HY110N06T	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	55V / 110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
110N06L	文件：2.10135 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
G110N06K	文件：572.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG110N06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G110N06KA	文件：954.24 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG110N06KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
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G110N06TA	文件：1.24523 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG110N06TAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06M	文件：983.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06S	文件：1.06818 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT110N06SH	文件：943.74 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT110N06SHusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HLDG110N06	文件：826.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA

详细参数

型号：
HY110N06T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
55V/110A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	HY1112H-TR	ST	21+	LED	23480		询价
深圳市佰诺德电子有限公司	HY1114	HAO YUEH			250		询价
深圳市瑞新盛科技有限公司	HY1115D	HUAYI/华羿微	24+	NA	20000	原装正品保障	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HY111B02AE1	NA	23+		27500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	HY1-12V	松下	1736+	RELAY	8529	专营继电器只做原装正品假一赔十!	询价
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深圳市宝芯创电子有限公司	HY1-12V	PANASONIC/松下	2018+	DIP	6200	假一罚十/本公司只做原装正品	询价
深圳兆威电子有限公司	HY1-12V	MATSUSHIT	22+	DIP6	34079	原装正品现货,可开13个点税	询价

更多HY110N06T供应商更新时间2025-5-22 10:34:00

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