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HY1506P	文件：919.74 Kbytes Page：10 Pages	丝印：HY1506P；Package：TO220-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features · V/ 5A, RDS(ON) =10.5 mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems. 文件：919.74 Kbytes 页数：10 Pages	HOOYI 后羿半导体	HOOYI
HY1503C1	文件：679.38 Kbytes Page：9 Pages	丝印：HY1503；Package：DFN3-8L；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：679.38 Kbytes 页数：9 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1504D	文件：1.21468 Mbytes Page：11 Pages	丝印：HY1504；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.21468 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1504U	文件：1.21468 Mbytes Page：11 Pages	丝印：HY1504；Package：TO-251-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.21468 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1504V	文件：1.21468 Mbytes Page：11 Pages	丝印：HY1504；Package：TO-251-3S；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.21468 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506B	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506C2	文件：429.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：HY1506；Package：PPAK5-8L；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：429.83 Kbytes 页数：9 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506D	文件：991.66 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：991.66 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506I	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-262-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506P	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-220FB-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI

技术参数

ID@TC=25℃(A)：
55
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
13.5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
15
PD@TC=25℃ (W)：
100
Vgs(±V)：
25
Vth (V)：
1~3
Ciss Typ(pF)：
3522
Qg Typ(nC)：
62
Configuration：
single-N
Package：
TO-220FB-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	HY1506P	华裔	24+	TO-220FB-3L	6000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多HY15供应商更新时间2025-10-20 11:05:00

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