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HY1506B	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506C2	文件：429.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：HY1506；Package：PPAK5-8L；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：429.83 Kbytes 页数：9 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506D	文件：991.66 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：991.66 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506I	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-262-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506P	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-220FB-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506U	文件：991.66 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-251-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：991.66 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506V	文件：991.66 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-251-3S；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：991.66 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506P	文件：919.74 Kbytes Page：10 Pages	丝印：HY1506P；Package：TO220-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features · V/ 5A, RDS(ON) =10.5 mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems. 文件：919.74 Kbytes 页数：10 Pages	HOOYI 后羿半导体	HOOYI
HY1506B	文件：584 Kbytes Page：12 Pages	丝印：HY1506；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：584 Kbytes 页数：12 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HY1506C2	文件：429.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：HY1506；Package：PPAK5-8L；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：429.83 Kbytes 页数：9 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI

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更多HY1506供应商更新时间2026-1-18 14:14:00

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