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HY1506P中文资料后羿半导体数据手册PDF规格书

HY1506P
厂商型号

HY1506P

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

HY1506P

封装外壳

TO220-3L

文件大小

919.74 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

HOOYI

中文名称

后羿半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:30:00

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HY1506P规格书详情

特性 Features

· V/ 5A,

RDS(ON)

=10.5 mW (typ.) @ VGS

=10V

· Avalanche Rated

· Reliable and Rugged

· Lead Free andGreenDevicesAvailable

(RoHS Compliant)

Applications

· Power Management for Inverter Systems.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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