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HWS450	文件：80.9 Kbytes Page：2 Pages	GaAs DC-6 GHz SPDT Switch Description TheHWS450isaGaAsPHEMTMMICSPDTswitchoperatingat0.5-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS450featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinWiMAXorIEEE802.11a/b	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
HWS450_V8_15	文件：65 Kbytes Page：2 Pages	GaAs 0.5-6GHz DPDT Switch Description TheHWS450isaGaAsPHEMTMMICSPDTswitchoperatingat0.5-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS450featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinWiMAXorIEEE802.11a/b	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IDSR450.X	文件：241.98 Kbytes Page：4 Pages	ClassRK5FusesIDSRSeries Description TheIDSRseriescombinesa600Vdccapabilitywithindicationtoprovideanidealsolutionformanydcapplications. Features&Benefits Excellentshort-circuitprotection-Improvesafetythroughfasterresponsetofaultcurrents Dual-elementdesign-Providesadvancedshortci	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IF450	文件：1.39757 Mbytes Page：1 Pages	450MHzMicroSphereAntenna	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
IRF450	文件：144.63 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.400ohm,Id=12A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF450	文件：56.49 Kbytes Page：7 Pages	13A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF450	文件：56.49 Kbytes Page：7 Pages	13A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF450	文件：19.01 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF450	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF450	文件：196.98 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
HWS450
制造商：
HW
制造商全称：
HW
功能描述：
GaAs DC-6 GHz SPDT Switch

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更多HWS450供应商更新时间2025-7-24 9:01:00

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