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IRF530FI	文件：64.319 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530FP	文件：77.58 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.12Ω ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175oCOPERATINGTEMPERATURE APPLICAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF530L	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF530N	文件：97.02 Kbytes Page：7 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.TheIRF530NissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. 1.’Trench’technology 2.Lowon-stateresistance 3.Fastswitching 4.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF530N	文件：212.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=90mohm,Id=17A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF530N	文件：125.62 Kbytes Page：10 Pages	22A,100V,0.064Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF530N	文件：286.07 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.09Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NL	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NL	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NL	文件：300.47 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海市鑫鸿达电子	HW-5450N6PT-PW1CZ	HAEWON	2022+		7000	全新原装货期两周	询价
深圳市利加科技有限公司	HW-5B-2	FVC	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HW-5B-2	FVC	23+	NA	15380	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
天津市博通航睿技术有限公司	HW-5B-2	FVC	0727		7000	优势货源原装正品	询价
深圳市科达星科技有限公司	HW-5B-2	FVC	24+		8000	原装现货,特价销售	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HW5N60F	广州华微	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HW5N60F	广州华微	24+	NA/	5812	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	HW5N65F	HW	25+23+	TO-220F	18839	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	HW5N65F	HW	23+	TO-220F	3000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	HW5N65F	HW	22+	TO-220F	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价

更多HW530供应商更新时间2025-7-23 9:50:00

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