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HUF75637P3	文件：201.65 Kbytes Page：10 Pages	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF75637P3	文件：332.25 Kbytes Page：9 Pages	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF75637P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
75637S	文件：332.25 Kbytes Page：9 Pages	44A,100V,0.030Ohm,N-Channel,UltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76609D	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD FAIRCHILD TO-252	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：深圳市锦喆鸿电子有限公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF75637P
功能描述：
MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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