75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is cap

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Fairchild

仙童半导体

75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capab

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Intersil

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.012Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，75A，12mΩ

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75339。 •75 A、55 V\n•峰值电流与脉宽曲线\n•访问以下网址，获取 SPICE 和 SABER 热阻抗模型： www.fairchildsemi.com\n•UIS额定值曲线\n•相关文献\n•TB334\"PC板焊接表面贴装组件的指南\";

ONSEMI

安森美半导体

75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Renesas

瑞萨