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HUF75329D3	文件：225.11 Kbytes Page：10 Pages	20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：225.11 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75329D3	文件：127.45 Kbytes Page：9 Pages	20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：127.45 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75329D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75329D3S	文件：127.45 Kbytes Page：9 Pages	20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：127.45 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75329D3S	文件：260.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive · Half Bridge · PFC and Other Boost Converter · Buck Converterh 文件：260.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HUF75329D3S	文件：763.28 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.28 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
HUF75329D3S	文件：225.11 Kbytes Page：10 Pages	20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：225.11 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75329D3ST	文件：763.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.3 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
HUF75329D3S	文件：665.88 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel UltraFET Power MOSFET 55 V, 20 A, 26 m廓文件：665.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75329D3ST	文件：665.88 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75329D；Package：TO-252AA；N-Channel UltraFET Power MOSFET 55 V, 20 A, 26 m廓文件：665.88 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
55
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
128
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
26
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
32
Ciss Typ (pF)：
1060
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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