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IPM-L112	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRFD112	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRKTF112	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	FASTTHYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
ISCN112P	文件：286.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCP112P	文件：250.18 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J/SST112	文件：282.56 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEN-CHANNELJFET FEATURES DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXJ/SST111SERIES LOWGATELEAKAGECURRENT5pA FASTSWITCHING4ns	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
J/SST112	文件：45.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
J/SST112	文件：58.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
HTIP112
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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