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HT8KF6H	文件：2.48264 Mbytes Page：14 Pages	丝印：T8KF6H；Package：HSMT8；150V NchNch Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (HSMT8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) 100% Rg and UIS tested Application Switching Motor drives 文件：2.48264 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HT8KF6H	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 7.0A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET HT8KF6H is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications. • Low on - resistance\n• High Power small mold Package (HSMT8)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free\n• 100% Rg and UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
HT9170D	文件：0 bytes Page：0 Pages	HOLTEK SOP-18	Holtek 合泰上传：深圳市星佑电子有限公司	Holtek
HTA1000-S/SP16	文件：0 bytes Page：0 Pages	LEM/莱姆传感器	LEM/莱姆上传：天津市博通航睿技术有限公司	LEM/莱姆
HTB100-P/SP1	文件：0 bytes Page：0 Pages	LEM/莱姆原装	LEM/莱姆上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	LEM/莱姆

技术参数

封装：
HSMT8 (Symmetry Dual)
包装形态：
Taping
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8D (3.3x3.3)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
150
Drain Current ID[A]：
7
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)：
0.176
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)：
0.165
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)：
0.176
Total gate charge Qg[nC]：
4.2
Power Dissipation (PD)[W]：
14
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ)[ns]：
52
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]：
-55
Storage Temperature (Max)[℃]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.9)

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