HT3045V

电池组保护; ◆ 内部集成等效35mΩ（典型值）的功率MOSFET； \n◆  超小封装SOT23-5； \n◆  外围电路简单； \n◆  过温保护； \n◆  过充电电流保护； \n◆  2段过流保护：1.过放电电流; \n       2.负载短路电流; \n◆  充电器检测； \n◆  0V电池充电功能； \n      ◆ 延迟时间内部设定； \n      ◆ 高精度电压检测； \n      ◆静态工作电流: 4μA（典型值）； \n      ◆ ESD 4KV。;

HT3045V产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。 \n\nHT3045V包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。\n\nHT3045V使用非常小的SOT23-5的封装，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。\n\nHT3045V具有过充、过放、过流、短路等所有的电池所需要保护功能，并且工作时功耗非常低。\n\n该芯片不仅仅为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。\n\n

IMBR3045C

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

IPP-3045

OUTLINE,DUALDIRECTIONALCOUPLER

ISB3045

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=450V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=20(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverters ·Powerswitching

JKTPD3045

SCHOTTKYBARRIERDIODE

APPLICATIONS Lowvoltage,highfrequency rectifier Freewheelingcircuitand protectioncircuitoflowvoltage Solarcelljunctionboxasa bypassdiode FEATURES Lowpowerloss,highefficiency. HighOperatingJunction Temperature. Guardringforovervoltage protection，Highr

JKTPD3045-S-B

SCHOTTKYBARRIERDIODE

APPLICATIONS Lowvoltage,highfrequency rectifier Freewheelingcircuitand protectioncircuitoflowvoltage Solarcelljunctionboxasa bypassdiode FEATURES Lowpowerloss,highefficiency. HighOperatingJunction Temperature. Guardringforovervoltage protection，Highr

LM3045

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

LM3045J

LM3045/LM3046/LM3086TransistorArrays

LMP3045GU

N-ChannelSuperTernchPowerMOSFET

LND3045

AnalogSensorInterfaceChip-SARADCwithSPI