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BC177A	文件：269.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors BC177,BC178,andBC179areepitaxialPNPsiliconplanartransistorsinTO18case(18A3DIN41876).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorsareparticularlysuitableforuseinAFinputdriverstages.	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC177A	文件：49.31 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-18;SOT18metalpackage. NPNcomplement:BC107. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC177B	文件：49.31 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-18;SOT18metalpackage. NPNcomplement:BC107. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC177B	文件：269.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors BC177,BC178,andBC179areepitaxialPNPsiliconplanartransistorsinTO18case(18A3DIN41876).Thecollectoriselectricallyconnectedtothecase.ThetransistorsareparticularlysuitableforuseinAFinputdriverstages.	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC177B	文件：95.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BC177B	文件：151.05 Kbytes Page：3 Pages	LOWNOISEGENERALPURPOSEAUDIOAMPLIFIERS LOWNOISEGENERALPURPOSEAUDIOAMPLIFIERS TheBC177,BC178andBC179aresiliconplanarepitaxialPNPtransistorsmountedinTO-18metalpackage. Theyaresuitableforuseindriveaudiostages,low-noiseinputaudiostagesandaslowpower,highgaingeneralpurposetransistors. Complianceto	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BC177C	文件：95.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BC177CSM	文件：15.7 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC177DCSM	文件：15.05 Kbytes Page：1 Pages	DualBipolarPNPDevicesinahermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BD177	文件：105.63 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·ComplementtotypeBD176/178/180 APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD177	文件：727.61 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD177	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS BD175,177,179NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD176,178,180PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS MediumPowerLinerandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BD177	文件：37.59 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD176/178/180respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD177	文件：107.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD177	文件：191.06 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD176/178/180 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD177NPN	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS BD175,177,179NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD176,178,180PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS MediumPowerLinerandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BLF177	文件：158.01 Kbytes Page：4 Pages	HF/VHFpowerMOStransistorBLF177 DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforindustrialandmilitaryapplicationsintheHF/VHFfrequencyrange. FEATURES •Highpowergain •Lowintermodulationdistortion •Easypowercontrol •Goodthermalstability •Withstandsfullloadmismatch.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BLF177	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF177	文件：321.28 Kbytes Page：19 Pages	HF/VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT121Bflangedpackage,withaceramiccap.Allleadsareisolatedfromtheflange. FEATURES •Highpowergain •Lowintermodulationdistortion •Easypowercontrol •Goodthermalstability •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF177	文件：121.73 Kbytes Page：16 Pages	HF/VHFpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistordesignedforindustrialandmilitaryapplicationsintheHF/VHFfrequencyrange. FEATURES •Highpowergain •Lowintermodulationdistortion •Easypowercontrol •Goodthermalstability •Withstandsfullloadmismatch	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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产品属性

产品编号：
HSMY-C177
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
颜色：
黄色
配置：
标准
透镜颜色：
白色
透镜透明度：
散射
毫烛光等级：
8mcd
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
2.00mm x 1.25mm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.1V
电流 - 测试：
20mA
视角：
130°
安装类型：
表面贴装型
波长 - 主：
586nm
波长 - 峰值：
589nm
封装/外壳：
0805（2012 公制）
供应商器件封装：
片式 LED
大小 / 尺寸：
2.00mm 长 x 1.25mm 宽
高度（最大值）：
0.40mm
描述：
LED YELLOW DIFFUSED CHIP SMD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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