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BLF177分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BLF177

参数属性

BLF177 封装/外壳为SOT-121B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET NCHA 125V SOT121B

功能描述

HF/VHF power MOS transistor

封装外壳

SOT-121B

文件大小

321.28 Kbytes

页面数量

19

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2026-2-9 20:00:00

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BLF177规格书详情

DESCRIPTION

Silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT121B flanged package, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

FEATURES

• High power gain

• Low intermodulation distortion

• Easy power control

• Good thermal stability

• Withstands full load mismatch.

APPLICATIONS

• Designed for industrial and military applications in the HF/VHF frequency range.

产品属性

  • 产品编号:

    BLF177CR,112

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 额定电流(安培):

    16A

  • 功率 - 输出:

    150W

  • 封装/外壳:

    SOT-121B

  • 供应商器件封装:

    CRFM4

  • 描述:

    RF FET NCHA 125V SOT121B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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