| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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PH袋装SOT |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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6年
留言
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PHI23+ |
6000 |
TO-59 |
专业配单原装正品假一罚十 |
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12年
留言
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PHITO-59 |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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9年
留言
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恩XP高频管 |
6660 |
14+ |
大量原装进口现货,一手货源,一站式服务,可开17%增 |
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7年
留言
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恩XPSMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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6年
留言
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恩XP23+ |
6000 |
TO-59 |
专业配单原装正品假一罚十 |
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12年
留言
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恩XPTO-59 |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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11年
留言
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恩XPNA |
350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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15年
留言
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恩XP高频管 |
29516 |
20+ |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
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16年
留言
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恩XP模块 |
517 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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10年
留言
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恩XPSOT121 |
12500 |
2026+ |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
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5年
留言
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PHITO-59 |
3800 |
22+ |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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7年
留言
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恩XPSMD |
21 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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恩XP原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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11年
留言
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PHITO-59 |
12500 |
25+ |
全新原装现货 假一赔十 |
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6年
留言
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PHITO-59 |
6000 |
23+ |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
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13年
留言
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PHITO-59 |
1341 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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8年
留言
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恩XPSMD |
5500 |
24+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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8年
留言
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SMD |
5500 |
24+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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8年
留言
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MINISMD其他电子元 |
17 |
24+ |
一级代理全新原装现货 |
BLF177采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BLF177图片
BLF177价格
BLF177价格:¥311.1696品牌:Advanced Semiconductor,
生产厂家品牌为Advanced Semiconductor, 的BLF177多少钱,想知道BLF177价格是多少?参考价:¥311.1696。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BLF177批发价格及采购报价,BLF177销售排行榜及行情走势,BLF177报价。
BLF177资讯
BLF177深圳市嘉轩电子科技有限公司
BLF177高频管 原装正品销售中心
BLF177中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF177功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF177,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 150W HF-VHF RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF177C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF177C,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF177CR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF177CR,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray































