BLF147分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
BLF147规格书详情
DESCRIPTION
Silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT121B flange package with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. A marking code, showing gate-source voltage (VGS) information is provided for matched pair applications. Refer to the “General” section of the handbook for further information.
FEATURES
• High power gain
• Low intermodulation distortion
• Easy power control
• Good thermal stability
• Withstands full load mismatch.
APPLICATIONS
• Industrial and military applications in the HF/VHF
frequency range
产品属性
- 产品编号：
BLF147,112
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
108MHz
- 增益：
14dB
- 额定电流（安培）：
25A
- 功率 - 输出：
150W
- 封装/外壳：
SOT-121B
- 供应商器件封装：
CRFM4
- 描述：
RF FET NCHA 65V 14DB SOT121B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
10658 |
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询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
TO-59 |
254 |
价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
2026+ |
SMD |
299 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2024+ |
N/A |
70000 |
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恩XP |
2023+ |
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恩XP |
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恩XP |
NA |
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恩XP |
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RHNX |
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询价 |
