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IRFB260	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.040ohm,Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040Ω56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.040ohm,Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040Ω56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB260NPBF	文件：167 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260NPBF	文件：175.96 Kbytes Page：9 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：135.18 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=45A*) 200Volt,0.060Ω,HEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvan	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：61.18 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：442.38 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=35A*) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：189.74 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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