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IRFP260	文件：36.08 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP260	文件：541.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP260	文件：443.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP260	文件：1.79918 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP260	文件：687.16 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP260M	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ·DESCRITION ·HighSpeedPowerSwitching ·FEATURES ·Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40mΩ ·Enhancementmode: ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.04Ω ID=50A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETP	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：1.13621 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP260N	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市安罗世纪电子有限公司	HSMS-C260(J)	AGILENT	2023+	SMD	1172	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
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