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IRFP260M	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ·DESCRITION ·HighSpeedPowerSwitching ·FEATURES ·Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40mΩ ·Enhancementmode: ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.04Ω ID=50A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETP	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：1.13621 Mbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP260MPBF_15	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260N	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260N	文件：334.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP260NPBF	文件：200.69 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260NPBF	文件：186.11 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260NPBF	文件：325.38 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-247packaging •Easeofparalleling •Highspeedswitching •Hardswitchedandhighfrequencycircuits •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFP260M
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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