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CEZC3062	文件：854.4 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,48A,RDS(ON)=6.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=8.7mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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