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HRM63260D

N沟道

Huarim

北京华芯微

Huarim

IRHMS63260

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

文件:149.29 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRHNA63260

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)

文件:141 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRHNS63260

Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SupIR-SMD™) 200V, 56A, N-channel, R6 Technology

Features  Single event effect (SEE) hardened (up to LET of 90 MeV·cm2/mg)  Low RDS(on)  Low total gate charge  Simple drive requirements  Hermetically sealed  Ceramic package  Light weight  Surface mount  ESD rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020 Potential Application

文件:1.45948 Mbytes 页数:14 Pages

IRF

技术参数

  • Id@Tc=25°C(A):

    45

  • Id@Tc=100°C(A):

    35

  • Pd@Tc=25°C(W):

    208

  • Rds(on) MAX Vgs=12V(Ω):

    0.029

  • Package:

    TO-254AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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更多HRM63260D供应商 更新时间2025-12-17 17:59:00