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IRF710	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF710	文件：284.58 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	IRF710-713MTP2N35/2N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF710	文件：203.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor ·DESCRITION ·Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ·FEATURES ·LowRDS(on) ·VGSRatedat±20V ·SiliconGateforFastSwitchingSpeed ·Rugged ·LowDrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF710	文件：360.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF710	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETFEATURES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710A	文件：226.65 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(400V,3.6ohm,2A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=400V ♦LowRDS(ON):2.815Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF710A	文件：46.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •designedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.Thesetypescanbeoperateddirectlyfromintegratedcircuits. •FEATU	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF710PBF	文件：225.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
HPR710C
功能描述：
DC/DC转换器 5W 12V to +/-12V .2A
RoHS：
否
制造商：
Murata
输入电压范围：
3.6 V to 5.5 V
输出端数量：
1 输出电压（通道
1）：
3.3 V 输出电流（通道
1）：
600 mA 输出电压（通道
2）：
输出电流（通道
安装风格：
SMD/SMT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	HPR711	CANDD	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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