IRF710中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF710
功能描述	N-Channel Power MOSFETs, 2.25 A, 350-400 V
文件大小	791.66 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称	NJSEMI【新泽西半导体】
中文名称	新泽西半导体产品股份有限公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-21 13:38:00
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IRF710规格书详情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high speed applications, such as switching power supplies, converters, AC and DC motor controls, relay and solenoid driver and high energy pulse circuits.

• Low RDS(on)

• VGS Rated at ±20 V

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds

• IDSS, VDS(on). Specified at Elevated Temperature

• Rugged

• Low Drive Requirements

• Ease of Paralleling

产品属性

型号：
IRF710
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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