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HP8K22	文件：4.42742 Mbytes Page：19 Pages	丝印：TB；Package：HSOP8；30V NchNch Middle Power MOSFET 文件：4.42742 Mbytes 页数：19 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HP8K24	文件：4.42482 Mbytes Page：19 Pages	丝印：TB；Package：HSOP8；30V NchNch Middle Power MOSFET 文件：4.42482 Mbytes 页数：19 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HP8KA1	文件：2.97571 Mbytes Page：14 Pages	30V NchNch Power MOSFET 文件：2.97571 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HP8K24	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Nch+Nch 中功率MOSFET HP8K24是适合开关和DC/DC转换器用途的低导通MOSFET。 • Low on - resistance.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant.\n• Halogen Free.;	ROHM 罗姆	ROHM
HP8K4-A380DS28JCA11	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载直流电源系列 ❑高精确和高稳定度\n❑ 极低纹波和噪声\n❑ 低压差电路设计\n❑ 低功耗短路保护模式\n❑ 良好的电磁兼容性\n❑ 快速瞬态响应特征\n❑ 多路输出组合;	HXWei 华芯威	HXWei
HP8K22TB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSOP8 (Symmetry Dual)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8D (5x6)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
40
Drain Current ID[A]：
24
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0178
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0121
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0178
Total gate charge Qg[nC]：
5
Power Dissipation (PD)[W]：
21
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.9x6 (t=1.1)

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更多HP8K供应商更新时间2025-12-26 12:00:00

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