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HP8K24	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Nch+Nch 中功率MOSFET HP8K24是适合开关和DC/DC转换器用途的低导通MOSFET。 • Low on - resistance.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant.\n• Halogen Free.;	ROHM 罗姆	ROHM
HP8K24	文件：4.42482 Mbytes Page：19 Pages	丝印：TB；Package：HSOP8；30V NchNch Middle Power MOSFET 文件：4.42482 Mbytes 页数：19 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K24	文件：151.98 Kbytes Page：5 Pages	Switching (45V, 6.0A) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). Applications Power switching , DC / DC converter , Inverter 文件：151.98 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K24FRA	文件：1.16842 Mbytes Page：8 Pages	4V Drive NchNch MOSFET 文件：1.16842 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8K24-TB	文件：1.86245 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.86245 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
HSOP8 (Dual)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8D (5x6)
Applications：
DC/DC Convertor
Number of terminal：
9
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0091
Total gate charge Qg[nC]：
4.8
Power Dissipation (PD)[W]：
22
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.1)

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