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HN4C06J	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Feature：Low noise\nPolarity：NPN + NPN\nInternal Connection：Common emitter\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 120 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 120 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN4C06J	文件：299.78 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：299.78 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
NTMFS4C06N	文件：94.33 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：94.33 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C06N	文件：132.5 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：132.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4C06N	文件：129.93 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：129.93 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多HN4C06J供应商更新时间2025-10-6 14:14:00