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NTMFS4C06N

Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.5 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06N

Power MOSFET

文件:94.33 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06NT1G

Power MOSFET

文件:94.33 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06NT1G

Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.5 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06NT3G

Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件:132.5 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06N

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,69A,4mΩ

Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C06NAT1G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    69

  • PD Max (W):

    30.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    11.6

  • Ciss Typ (pF):

    1683

  • Package Type:

    SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4C06N供应商 更新时间2025-10-9 10:46:00