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HMS10N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压大电流SGT MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
ME10N15	文件：1.00803 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.00803 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTM10N15L	文件：260.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP10N15	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：170.28 Kbytes 页数：5 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

技术参数

封装（Package）：
DFN5X6-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
150.00V
ID(Max)ID(A)：
10.00A
IDM：
31.80A
VTH(Typ)：
2.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
57.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON6454A

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