HMC785数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF
| 厂商型号 |
HMC785 |
| 参数属性 | HMC785 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器；产品描述：IC MMIC MIXER W/LO AMP 24-QFN |
| 功能描述 | 集成LO放大器的BiCMOS混频器，1.7 - 2.2 GHz |
| 封装外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
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HMC785规格书详情
描述 Description
HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+38 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+26 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为8 dB（典型值）。 高达300 MHz的IF频率响应可满足GSM/CDMA发射或接收频率计划要求。 HMC785LP4E针对1.7 - 2.2 GHz RF频段低端LO频率计划进行了优化，并与HMC685LP4E引脚兼容。
应用
蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G 基站和中继器 GSM、CDMA和OFDM 发射器和接收机
特性 Features
• 高输入IP3： +38 dBm
• 8 dB转换损耗(0 dBm LO)
• 针对低端LO输入优化
简介
HMC785属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC785射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC785LP4ETR
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
- 包装：
托盘
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 频率：
1.7GHz ~ 2.2GHz
- 噪声系数：
8dB
- 辅助属性：
降频变频器
- 电流 - 供电：
160mA
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC MMIC MIXER W/LO AMP 24-QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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