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HMC770数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

HMC770

参数属性

HMC770 封装/外壳为20-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

功能描述

GaAs pHEMT 50 / 75 Ω差分放大器,0.04 - 1 GHz
IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

封装外壳

20-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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HMC770规格书详情

描述 Description

HMC770LP4BE是一款GaAs pHEMT差分增益模块MMIC放大器,工作频率范围为40 MHz至1 GHz,采用4x4 mm QFN SMT塑料封装。 该多功能放大器可在50Ω和75Ω应用中用作可级联IF或RF增益级。 HMC770LP4BE提供16 dB增益及+40 dBm输出,噪声系数仅为2.5 dB。
差分I/Os使该放大器非常适合跨阻、SAW滤波器以及收发器应用,必须采用不同方式处理IF路径以改善噪声性能。 评估PCB均提供SMA (50Ω)或F型(75Ω)连接器。
应用

蜂窝/PCS/3G
固定无线和WLAN
有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星
微波无线电和测试设备
IF和RF应用

特性 Features

高输出IP3: +40 dBm
单正电源: +5V
低噪声系数: 2.5 dB
关断模式
差分RF I/O
20引脚4x4 mm SMT封装: 16mm²

简介

HMC770属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC770射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

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  • 产品编号:

    HMC770LP4BETR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • P1dB:

    23.5dBm

  • 增益:

    16.5dB

  • 噪声系数:

    2.75dB

  • 射频类型:

    WLAN

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    136mA

  • 测试频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    20-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    20-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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