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HMC7587中文资料E频段I/Q下变频器,81 GHz至86 GHz数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC7587

参数属性

HMC7587 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

功能描述

E频段I/Q下变频器,81 GHz至86 GHz
IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

封装外壳

模具

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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HMC7587规格书详情

描述 Description

HMC7587是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和30 dBc边带抑制性能。 该器件采用低噪声放大器,后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。

该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者,可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并,以实现单边带应用。 所有数据包括RF端口上3 mm宽线焊的效应以及中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。

特性 Features

• 转换增益: 10 dB(典型值)

• 镜像抑制: 30 dBc(典型值)

• 噪声系数: 6 dB(典型值)

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率: -10 dBm(典型值)

• 输出三阶交调截点(IP3): -2 dBm(典型值)

• 输出二阶交调截点(IP2): 25 dBm(典型值)

• RFIN上6倍LO泄漏: -40 dBm(典型值)

• 射频(RF)回波损耗: 10 dB(典型值)

• 本振(LO)回波损耗: 20 dB(典型值)

• 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

简介

HMC7587属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由ADI制造生产的HMC7587射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC7587

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    81GHz ~ 86GHz

  • P1dB:

    -10dBm

  • 增益:

    10dB

  • 噪声系数:

    6dB

  • 电压 - 供电:

    4.5V

  • 电流 - 供电:

    175mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

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