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HMC774ALC3B数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

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厂商型号

HMC774ALC3B

参数属性

HMC774ALC3B 封装/外壳为12-CLCC 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器;产品描述:IC MMIC MIXER GAAS 12SMD

功能描述

7 GHz至34 GHz、MMIC、双平衡混频器
IC MMIC MIXER GAAS 12SMD

封装外壳

12-CLCC 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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HMC774ALC3B规格书详情

描述 Description

HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器,采用无铅RoHS兼容型表贴封装,可用作7 GHz至34 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC774ALC3B采用经过优化的巴伦结构,提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。

该混频器采用>15 dBm的最佳LO驱动电平性能。HMC774ALC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

点对点无线电 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT) 测试设备和传感器 军用最终用途

特性 Features

• 无源;无需直流偏置

• 输入IP3:20 dBm(典型值),下变频器

• LO至RF隔离:30 dB(典型值)

• 宽IF带宽:DC至8 GHz

• 12引脚、3 mm × 3 mm、陶瓷无铅芯片载体封装

简介

HMC774ALC3B属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC774ALC3B射频混频器射频混频器又称混频器,这些器件具有三个端口,用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件,可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz,混频器数为 1、2、3 或 4。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC774ALC3B

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    VSAT

  • 频率:

    7GHz ~ 34GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-CLCC 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-CLCC(2.9x2.9)

  • 描述:

    IC MMIC MIXER GAAS 12SMD

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