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HMC770LP4BE中文资料GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
HMC770LP4BE |
| 参数属性 | HMC770LP4BE 封装/外壳为20-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN |
| 功能描述 | GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz |
| 封装外壳 | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 23:00:00 |
| 人工找货 | HMC770LP4BE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC770LP4BE规格书详情
简介
HMC770LP4BE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由ADI制造生产的HMC770LP4BE射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC770LP4BE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
40MHz ~ 1GHz
- P1dB：
23.5dBm
- 增益：
16.5dB
- 噪声系数：
2.75dB
- 射频类型：
WLAN
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
136mA
- 测试频率：
40MHz ~ 1GHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
20-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
20-QFN（4x4）
- 描述：
IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
QFN24 |
7350 |
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ADI(亚德诺) |
24+ |
NA/ |
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ADI |
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20QFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ADI/亚德诺 |
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2023+ |
100 |
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ADI |
24+ |
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ADI/亚德诺 |
23+ |
QFN-24 |
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QFN-24 |
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