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HMC770LP4BE

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC770LP4BE

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC770LP4BE

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC770LP4BE

Package:20-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC770LP4BE_10

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC770LP4BE_1007

GaAs pHEMT 50 / 75 Ohm DIFFERENTIAL AMPLIFIER, 0.04 - 1 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC770LP4BETR

Package:20-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HMC770LP4BE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • P1dB:

    23.5dBm

  • 增益:

    16.5dB

  • 噪声系数:

    2.75dB

  • 射频类型:

    WLAN

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    136mA

  • 测试频率:

    40MHz ~ 1GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    20-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    20-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP WLAN 40MHZ-1GHZ 20QFN

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更多HMC770LP4BE供应商 更新时间2025-7-23 10:28:00