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HMC637	文件：609.88 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC637	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	Active Bias Controller High Current	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC637	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ DIE 1=2PC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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HMC637BPM5E	文件：631.29 Kbytes Page：21 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC637BPM5ETR	文件：631.29 Kbytes Page：21 Pages	GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC637LP5	文件：931.22 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC637LP5	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	Active Bias Controller High Current	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC637LP5E	文件：931.22 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

产品属性

产品编号：
HMC637
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
频率：
0Hz ~ 6GHz
P1dB：
29dBm
增益：
14dB
噪声系数：
5dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
12V
电流 - 供电：
400mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ DIE 1=2PC

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