Active Bias Controller High Current

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GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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GaAs MMIC 1 W功率放大器，DC - 6 GHz

HMC637A是一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片，工作频率范围在DC至6 GHz。 该放大器提供14 dB增益、+41 dBm输出IP3和+30.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400mA（采用+12V电源）。 HMC637A在DC至6 GHz范围内提供±0.5 dB的出色增益平坦度，因而适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 \n\n HMC637A放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。 • P1dB输出功率： +30.5 dBm \n\n• 增益： 14 dB \n\n• 输出IP3： +41 dBm \n\n• 偏置电源： +12V、+6V、-1V \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 裸片尺寸： 2.98 x 2.48 x 0.1 mm;

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GaAs pHEMT MMIC 1W功耗放大器，DC - 6 GHz

HMC637ALP5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 该放大器提供13 dB增益、+44 dBm输出IP3和+29 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400 mA（采用+12V电源）。 HMC637ALP5E在DC - 6 GHz范围内提供±0.75 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，5x5 mm QFN封装与高容量SMT装配设备兼容。\n P1dB输出功率： +29 dBm \n增益： 13 dB \n输出IP3： +44 dBm \n50 Ω匹配输入/输出 \n32引脚5x5mm SMT封装 ;

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Package：32-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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Package：32-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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