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HMC637ALP5E	文件：1.25543 Mbytes Page：8 Pages	GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC637ALP5E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC637ALP5ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

产品编号：
HMC637ALP5E
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
0Hz ~ 6GHz
P1dB：
29dBm
增益：
13dB
噪声系数：
5dB
射频类型：
VSAT
电压 - 供电：
12V
电流 - 供电：
400mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
32-QFN（5x5）
描述：
IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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更多HMC637ALP5E供应商更新时间2024-4-24 9:12:00

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