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HMC637ALP5E

GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz

HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率( 1 dB 增益压缩),功耗为 400 mA (采用 12 V 电源)。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ,因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (EC • P1dB输出功率:29 dBm \n\n• 增益:13 dB \n\n• 输出IP3:44 dBm \n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2\n\n• 扩展工业温度范围:-55℃至+105°C;

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亚德诺

HMC637ALP5E

GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

文件:1.25543 Mbytes 页数:8 Pages

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HMC637ALP5E

Package:32-VFQFN 裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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HMC637ALP5ETR

Package:32-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    HMC637ALP5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    0Hz ~ 6GHz

  • P1dB:

    29dBm

  • 增益:

    13dB

  • 噪声系数:

    5dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    12V

  • 电流 - 供电:

    400mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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更多HMC637ALP5E供应商 更新时间2025-11-29 16:40:00