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HMC637ALP5E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

厂商型号 |
HMC637ALP5E |
参数属性 | HMC637ALP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN |
功能描述 | GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz |
封装外壳 | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 19:14:00 |
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HMC637ALP5E规格书详情
描述 Description
HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率( 1 dB 增益压缩),功耗为 400 mA (采用 12 V 电源)。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ,因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (ECM) 、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E 放大器射频 (RF) I/O 内部匹配至 50 Ω ,且 5 mm × 5 mm 引脚架构芯片级封装 (LFCSP) 与大规模表贴技术 (SMT) 组装设备兼容。
应用
电信基础设施 微波无线电 甚小孔径终端 (VSAT) 军事与太空 测试仪器仪表 光纤产品
特性 Features
• P1dB输出功率:29 dBm
• 增益:13 dB
• 输出IP3:44 dBm
• 50 Ω匹配输入/输出
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
• 扩展工业温度范围:-55℃至+105°C
简介
HMC637ALP5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC637ALP5E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号:
HMC637ALP5E
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
托盘
- 频率:
0Hz ~ 6GHz
- P1dB:
29dBm
- 增益:
13dB
- 噪声系数:
5dB
- 射频类型:
VSAT
- 电压 - 供电:
12V
- 电流 - 供电:
400mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
32-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
32-QFN(5x5)
- 描述:
IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
24+ |
QFN |
39500 |
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ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特) |
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QFN-32(5x5) |
500000 |
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ADI/可出样品 |
20+ |
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HITTITE |
23+ |
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28000 |
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