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HMC626ALP5E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

HMC626ALP5E

参数属性

HMC626ALP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN

功能描述

0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER, DC - 1 GHz
IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN

封装外壳

32-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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HMC626ALP5E规格书详情

简介

HMC626ALP5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC626ALP5E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

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  • 产品编号:

    HMC626ALP5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    0Hz ~ 1GHz

  • P1dB:

    20dBm

  • 增益:

    35dB

  • 噪声系数:

    2.8dB

  • 射频类型:

    LTE,WiMax

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    178.4mA

  • 测试频率:

    500MHz ~ 1GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN

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