GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

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GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

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GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器

HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器，在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz，提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩）、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数，采用VDD 12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度（典型值±0.5 dB时）非常出色，因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出 • P1dB输出功率：27.5 dBm（典型值）\n\n• 增益：15 dB（典型值）\n\n• 输出IP3：40 dBm（典型值）\n\n• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（针对IDQ调整）和VGG2（针对增益控制）具有可选偏置控制\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2;

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Package：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

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Package：32-LFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

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