HMC637BPM5E中文资料GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器数据手册ADI规格书

描述 Description

HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器，在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz，提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩）、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数，采用VDD 12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度（典型值±0.5 dB时）非常出色，因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O)，采用符合RoHS标准的5 mm × 5 mm LFCSP预制空腔封装，可与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。

特性 Features

• P1dB输出功率：27.5 dBm（典型值）

• 增益：15 dB（典型值）

• 输出IP3：40 dBm（典型值）

• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（针对IDQ调整）和VGG2（针对增益控制）具有可选偏置控制

• 50 Ω匹配输入/输出

• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2

应用 Application

• 军事与太空
• 测试仪器仪表

简介

HMC637BPM5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC637BPM5E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。