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HMC637BPM5E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

HMC637BPM5E

参数属性

HMC637BPM5E 封装/外壳为32-LFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

功能描述

GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器
IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

封装外壳

32-LFQFN 裸露焊盘,CSP

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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HMC637BPM5E规格书详情

描述 Description

HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器,在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz,提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩)、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数,采用VDD 12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度(典型值±0.5 dB时)非常出色,因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O),采用符合RoHS标准的5 mm × 5 mm LFCSP预制空腔封装,可与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。

特性 Features

• P1dB输出功率:27.5 dBm(典型值)

• 增益:15 dB(典型值)

• 输出IP3:40 dBm(典型值)

• 在VDD = 12 V(335 mA,典型值)下自偏置,VGG1(针对IDQ调整)和VGG2(针对增益控制)具有可选偏置控制

• 50 Ω匹配输入/输出

• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2

应用 Application

• 军事与太空
• 测试仪器仪表

简介

HMC637BPM5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC637BPM5E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC637BPM5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

  • 频率:

    0Hz ~ 7.5GHz

  • P1dB:

    28dBm

  • 增益:

    15.5dB

  • 噪声系数:

    3.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 13V

  • 电流 - 供电:

    345mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-LFQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    32-LFCSP-CAV(5x5)

  • 描述:

    IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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