GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

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GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

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GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

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Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ DIE

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GaAs pHEMT MMIC 1W功耗放大器，DC - 6 GHz

HMC637ALP5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 该放大器提供13 dB增益、+44 dBm输出IP3和+29 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400 mA（采用+12V电源）。 HMC637ALP5E在DC - 6 GHz范围内提供±0.75 dB的出色增益平坦度，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，5x5 mm QFN封装与高容量SMT装配设备兼容。\n P1dB输出功率： +29 dBm \n增益： 13 dB \n输出IP3： +44 dBm \n50 Ω匹配输入/输出 \n32引脚5x5mm SMT封装 ;

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GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器，0.1 GHz至6 GHz

HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器，工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率（ 1 dB 增益压缩），功耗为 400 mA （采用 12 V 电源）。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ，因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (EC • P1dB输出功率：29 dBm \n\n• 增益：13 dB \n\n• 输出IP3：44 dBm \n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2\n\n• 扩展工业温度范围：-55℃至+105°C;

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Package：32-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

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Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ DIE

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