10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer

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GaAs MMIC FUNDAMENTAL

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GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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Hittite

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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Hittite

10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。HMC554ACHIPS 经优化的平衡/不平衡转换器结构可提供高的本机振荡器 (LO) 至 RF 隔离和 LO 至中频 (IF) 隔离 (分别为 38 dB 和 52 dB)。 • 高达 8.5 dB（典型值）的转换损耗\n\n• LO 到 RF 隔离：38 dB（典型值）\n\n• 高达 20 dBm（典型值）的输入 IP3\n\n• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘裸片 CHIP;

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10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化的平衡/不平衡转换器结构，因此可提供出色的本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 隔离性能。符合 RoHS 指令的 HMC554ALC3B 消除了对线焊的需求，并与大批量表面贴装制造技术兼容。 • 转换损耗：8.5 dB\n\n• LO 到 RF 隔离：37 dB\n\n• 输入 IP3：20 dBm\n\n• 符合 RoHS 指令的 2.90 mm × 2.90 mm 12 端子 LCC 封装;

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Package：12-CLCC 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD

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Package：12-CLCC 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD

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