10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

文件：420.05 Kbytes 页数：26 Pages

AD

亚德诺

10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

文件：420.05 Kbytes 页数：26 Pages

AD

亚德诺

10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer

文件：378.22 Kbytes 页数：28 Pages

AD

亚德诺

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

文件：194.9 Kbytes 页数：6 Pages

HITTITE

GaAs MMIC FUNDAMENTAL

文件：314.61 Kbytes 页数：6 Pages

AD

亚德诺

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

文件：194.9 Kbytes 页数：6 Pages

HITTITE

10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。HMC554ACHIPS 经优化的平衡/不平衡转换器结构可提供高的本机振荡器 (LO) 至 RF 隔离和 LO 至中频 (IF) 隔离 (分别为 38 dB 和 52 dB)。 • 高达 8.5 dB（典型值）的转换损耗\n\n• LO 到 RF 隔离：38 dB（典型值）\n\n• 高达 20 dBm（典型值）的输入 IP3\n\n• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘裸片 CHIP;

ADI

亚德诺

10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化的平衡/不平衡转换器结构，因此可提供出色的本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 隔离性能。符合 RoHS 指令的 HMC554ALC3B 消除了对线焊的需求，并与大批量表面贴装制造技术兼容。 • 转换损耗：8.5 dB\n\n• LO 到 RF 隔离：37 dB\n\n• 输入 IP3：20 dBm\n\n• 符合 RoHS 指令的 2.90 mm × 2.90 mm 12 端子 LCC 封装;

ADI

亚德诺

Package：12-CLCC 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD

AD

亚德诺

Package：12-CLCC 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD

AD

亚德诺