Test Instrumentation

General Description The HMC579 die is a x2 active broadband frequency multiplier utilizing GaAs PHEMT technology. When driven by a +3 dBm signal, the multiplier provides +13 dBm typical output power from 32 to 46 GHz. The Fo isolation is >25 dBc at 38 GHz. The HMC579 is ideal for use in LO multip

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亚德诺

GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 32 - 46 GHz OUTPUT

General Description The HMC579 die is a x2 active broadband frequency multiplier utilizing GaAs PHEMT technology. When driven by a +3 dBm signal, the multiplier provides +13 dBm typical output power from 32 to 46 GHz. The Fo isolation is >25 dBc at 38 GHz. The HMC579 is ideal for use in LO multip

文件：273.18 Kbytes 页数：6 Pages

Hittite

Test Instrumentation

General Description The HMC579 die is a x2 active broadband frequency multiplier utilizing GaAs PHEMT technology. When driven by a +3 dBm signal, the multiplier provides +13 dBm typical output power from 32 to 46 GHz. The Fo isolation is >25 dBc at 38 GHz. The HMC579 is ideal for use in LO multip

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MICROSS

GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 32 - 46 GHz OUTPUT

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Hittite

x2有源倍频器芯片，32 - 46 GHz Fout

HMC579裸片是一款x2有源宽带倍频器，采用GaAs PHEMT技术。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器提供+13 dBm的典型输出功率，在32至46 GHz的频率下工作。 在38 GHz频率下，Fo隔离为>25 dBc。 HMC579非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-127 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 • 高输出功率： +13 dBm\n\n• 低输入功率驱动： 0至+6 dBm \n\n• Fo隔离： >25 dBc（Fout = 38 GHz时）;

ADI

亚德诺

Package：模具；包装：管件 功能：频率系数 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MULTI ACTIVE DIE

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亚德诺

GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 32 - 46 GHz OUTPUT

文件：217.64 Kbytes 页数：6 Pages

Hittite

Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 功能：频率系数 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MULTI X2 ACTIVE DIE

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亚德诺