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IMX112U-TL	文件：1.20853 Mbytes Page：22 Pages	2ConstantVoltageand4ChannelDimmingLEDBacklightCCController ProductHighlights CVand4-ChannelLEDBacklightController •EliminatesbuckandLEDbacklightboostconverters •Oneortwoconstantvoltageoutputs •Independentlyregulatedoutputswithinstantaneoustransient response±5CVon0-100-0loadstep •Typicaloutputvoltages •OneCVmode:	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
IPM-C112	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L112	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRFD112	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRKTF112	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	FASTTHYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
ISCN112P	文件：286.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCP112P	文件：250.18 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J/SST112	文件：282.56 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEN-CHANNELJFET FEATURES DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXJ/SST111SERIES LOWGATELEAKAGECURRENT5pA FASTSWITCHING4ns	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR

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产品属性

产品编号：
HMC-SDD112
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
散装
射频类型：
雷达
电路：
SPDT
频率范围：
55GHz ~ 86GHz
隔离：
30dB
插损：
2dB
测试频率：
86GHz
阻抗：
50 欧姆
工作温度：
-55°C ~ 85°C
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF SWITCH SPDT 86GHZ DIE

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