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HM8874	文件：1.22922 Mbytes Page：17 Pages	10W anti-breaking sound mono Class D audio power amplifier 文件：1.22922 Mbytes 页数：17 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8875	文件：1.36207 Mbytes Page：9 Pages	5W single channel boost anti-breaking class F amplifier 文件：1.36207 Mbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8876	文件：490.7 Kbytes Page：9 Pages	Single channel anti-breaking sound class F power amplifier 文件：490.7 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8877	文件：2.60455 Mbytes Page：10 Pages	7.4W Class F, with automatic gain control audio amplifier 文件：2.60455 Mbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8878	文件：783.24 Kbytes Page：9 Pages	7.5W single channel class F audio power amplifier 文件：783.24 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8879	文件：1.42271 Mbytes Page：10 Pages	Mono built-in synchronous boost, long battery life, anti-breaking F-class audio amplifier 文件：1.42271 Mbytes 页数：10 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8881	文件：1.61633 Mbytes Page：13 Pages	6.4W Anti-Clipping Mono Audio Power Amplifier 文件：1.61633 Mbytes 页数：13 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8N20	文件：618.23 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：618.23 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8N20A	文件：632.61 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM8N20A；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：632.61 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM8N20I	文件：566.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：566.26 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

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技术参数

输入电压 Min（V）：
2.5
输入电压 Max（V）：
5.5
输出电压 Min（V）：
0.6
输出电压 Max（V）：
5
输出电流 Max（A）：
2.5
开关频率（MHz）：
1.2
IQ （uA）：
60
封装：
sot23-5
状态：
量产

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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