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HM75N06K	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：526.1 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM75N06KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
M75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannel Power MOSFET 文件：230.68 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTB75N06	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TheD2PAK package has the capability of housing a larger die thanany existing surface mount package which allows it to be used inapplications that require theuse of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This advance 文件：342.06 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTB75N06HD	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TheD2PAK package has the capability of housing a larger die thanany existing surface mount package which allows it to be used inapplications that require theuse of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This advance 文件：342.06 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
75.00A
IDM：
310.00A
VTH(Typ)：
1.50V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
9.10mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
CEP75N06/NTP75N06/MTP75N06/RFP75N06/SUP75N06/AOT2606/AOT2608/IRFZ48V/IRF1018E

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