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HM75N06K	文件：526.1 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM75N06KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下);	HmpowerSemiHongmei Power Semiconductor Co., Ltd 虹美功率深圳市虹美功率半导体有限公司	HmpowerSemi
M75N06HD	文件：230.68 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB75N06	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES60VOLTS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.Thisadvance	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB75N06HD	文件：342.06 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET75AMPERES60VOLTS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.Thisadvance	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
75.00A
IDM：
310.00A
VTH(Typ)：
1.50V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
9.10mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
CEP75N06/NTP75N06/MTP75N06/RFP75N06/SUP75N06/AOT2606/AOT2608/IRFZ48V/IRF1018E

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